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導(dǎo)熱低介電氮化硼粉體在5G電子產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用趨勢

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發(fā)表時間:2020-11-18 17:02來源:金戈新材料

氮化硼.jpg


相對于4G來說,5G是更大的進階。根據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,5G通訊采用毫米波波段,最大的優(yōu)點就是傳播速度快,是4G100倍,意味著一秒就可以下載一部高清電影。但是,人們在享受5G帶來高速的同時,面臨高頻毫米波穿透力差與發(fā)熱量大等問題。

因此,對5G的傳播介質(zhì)材料的介電常數(shù)和介電損耗要小,且在較寬頻率范圍內(nèi)保持穩(wěn)定。同時為了保障電子設(shè)備的高溫可靠性,對材料的導(dǎo)熱系數(shù)和長時間工作的導(dǎo)熱穩(wěn)定性要求也是逐漸提高。

“20205G基站關(guān)鍵部件及材料高峰論壇上,深圳市高分子行業(yè)協(xié)會秘書長王文廣總結(jié)了5G對高分子材料的要求,具體如下:

①低介電:5G的傳輸速度更快、強度較差,要求傳播介質(zhì)材料的介電常數(shù)(Dk)和介電損耗要小,手機Dk要小于3,基站Dk要小于4;

②高屏蔽:5G的電磁波覆蓋能力較差,要求材料的電磁屏蔽能力要強,體積電阻率要小于10Ω,電磁屏蔽大于75dB;

③高導(dǎo)熱:5G元器件的厚度薄、密封性好,要求及時散熱,材料導(dǎo)熱性能要好。

因此,對于5G電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展來說,高導(dǎo)熱、低介電常數(shù)的聚合物符合材料至關(guān)重要。

氮化硼的重大機遇

為了得到高導(dǎo)熱、低介的聚合物復(fù)合材料,首先要選擇合適的高分子材料,但當(dāng)純塑料的介電、導(dǎo)熱性能滿足不了具體需求時,往往就需要靠填料來完成大業(yè)了。在可供選擇的填料中,既能有效降低介電常數(shù)又能滿足導(dǎo)熱需求的莫過于氮化硼了。它的介電常數(shù)只有1.6,低于任何樹脂的介電常數(shù),具有極好的高溫電阻和電擊穿強度,而且導(dǎo)熱率高得直追金屬(60~300W/mK),是一種非常理想的輕質(zhì)填料。


不過氮化硼在使用上也不是沒有缺點,除了貴以外,還跟它的分子結(jié)構(gòu)有關(guān)——由于BN的化學(xué)穩(wěn)定性較好,不容易形成化學(xué)鍵,本身邊緣的羥基少,活性也比較低,因此如果不經(jīng)任何處理的話,很難與高分子材料浸潤相容,分散性差、容易團聚,最終影響復(fù)合材料的力學(xué)性能。因此為了增強氮化硼的親和力,改善其在基體中的分散性,表面功能化改性是必不可少的。有研究表明,對氮化硼進行表面改性后,能夠降低復(fù)合材料的黏度,提高熱導(dǎo)率,且填充了氮化硼的復(fù)合材料具有優(yōu)異的電氣性能,屬于高擊穿場強、高電阻率、低介電常數(shù)與介質(zhì)損耗的材料,符合電氣及電子設(shè)備的使用要求,并且機械力化學(xué)效應(yīng)改性能夠優(yōu)化復(fù)合材料的絕緣性能。

高導(dǎo)熱低介電常數(shù)改性塑料行業(yè)蓄勢待發(fā)。通過在聚合物基體中添加經(jīng)過改性的氮化硼確實能夠提高聚合物的介電和導(dǎo)熱性能,滿足5G電子產(chǎn)業(yè)提出的各項要求,應(yīng)用前景相當(dāng)可觀。


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