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導熱劑廠家對比分析四種功率型LED封裝基板 二維碼
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發(fā)表時間:2017-08-24 15:12來源:金戈新材料 功率型LED封裝基板作為熱與空氣對流的載體,其熱導率對LED的散熱起著決定性作用。DPC陶瓷基板以其優(yōu)秀的功用和逐漸下降的價格,在很多電子封裝材猜中顯示出很強的競爭力,是未來功率型LED封裝開展的趨勢。跟著科學技能的開展、新制備工藝的呈現(xiàn),高導熱陶瓷材料作為新型電子封裝基板材料,運用遠景十分寬廣。 跟著LED芯片輸入功率的不斷進步,大耗散功率帶來的大發(fā)熱量給LED封裝材料提出了更新、更高的要求。在LED散熱通道中,封裝基板是銜接表里散熱通路的關鍵環(huán)節(jié),兼有散熱通道、電路銜接和對芯片進行物理支撐的功用。對高功率LED產品來講,其封裝基板要求具有高電絕緣性、高導熱性、與芯片匹配的熱膨脹系數(shù)等特性。 樹脂基封裝基板:配套本錢高遍及尚有難度 EMC和SMC對模壓成型設備要求高,一條模壓成型出產線價格在1000萬元左右,大規(guī)模遍及尚有難度。 近幾年鼓起的貼片式LED支架一般選用高溫改性工程塑膠料,以PPA(聚鄰苯二甲酰胺)樹脂為質料,經過增加改性填料來增強PPA質料的某些物理、化學性質,然后使PPA資料愈加合適注塑成型及貼片式LED支架的運用。PPA塑料導熱功用很低,其散熱首要經過金屬引線結構進行,散熱才能有限,只適用于小功率LED封裝。 跟著業(yè)界對LED散熱的重視,兩種新的熱固性塑膠料——環(huán)氧塑封料(EMC)和片狀模塑料(SMC)被引進貼片式LED支架中。EMC是以高功用酚醛樹脂為固化劑、導熱系數(shù)較高的硅微粉等為填料、多種助劑混配而成的粉狀模塑料。SMC首要是由30%左右的不飽和樹脂、40%左右的玻璃纖維、無機填料以及其他增加劑組成。這兩種熱固性模塑料熱固化溫度在150℃左右,經過改性后導熱系數(shù)可達4W/(m·K)~7W/(m·K),與PPA塑膠比較有較大進步,但缺陷是流動性與導熱性較難統(tǒng)籌,固化成型時硬度過高,簡單發(fā)生裂紋和毛刺。EMC和SMC固化時間長,成型功率相對較低,對模壓成型設備、模具及其他配套設備的要求適當高,一條模壓成型及配套出產線價格在1000萬元左右,大規(guī)模遍及尚有難度。 金屬芯印刷電路板:制造工藝雜亂實踐運用較少 鋁基板的加工制造進程雜亂、本錢高,鋁的熱膨脹系數(shù)與芯片資料相差較大,實踐運用中較少選用。 跟著LED封裝向薄型化及低本錢化方向開展,板上芯片(COB)封裝技能逐漸鼓起。現(xiàn)在,COB封裝基板大多運用金屬芯印刷電路板,高功率LED封裝大多選用此種基板,其價格介于中、高價位間。 當時出產上通用的大功率LED散熱基板,其絕緣層導熱系數(shù)極低,并且因為絕緣層的存在,使得其無法承受高溫焊接,約束了封裝結構的優(yōu)化,不利于LED散熱。 怎么進步環(huán)氧絕緣層的導熱系數(shù)成為現(xiàn)階段鋁基板的研討熱門?,F(xiàn)在選用的是一種摻有高熱傳導性無機填充物(比如陶瓷粉末)的改性環(huán)氧樹脂或環(huán)氧玻璃布黏結片,經過熱壓把銅箔、絕緣體以及鋁板黏結起來。現(xiàn)在國際上已經開宣布一種“全膠鋁基板”,選用全膠的鋁基板的熱阻能夠做到0.05K/W。此外,我國臺灣的一家公司最近開宣布一種類鉆碳資料DLC,并將其運用于高亮度LED封裝鋁基板的絕緣層。DLC有許多優(yōu)越的資料特性:高熱傳導率、熱均勻性與高資料強度等。因而,以DLC替代傳統(tǒng)金屬基印刷電路板(MCPCB)的環(huán)氧樹脂絕緣層,有望極大進步MCPCB的熱傳導率,但其實踐運用作用還有待商場檢測。 一種功用更好的鋁基板是直接在鋁板上生成絕緣層,然后印制電路。選用這種辦法的最大長處是結合力強,并且導熱系數(shù)高達2.1W/(m·K)。但這種鋁基板的加工制造進程雜亂、本錢高,并且,金屬鋁的熱膨脹系數(shù)與芯片材料相差較大,器材作業(yè)時熱循環(huán)常會發(fā)生較大應力,終究可能導致失效,因而在實踐運用中較少選用。 硅基封裝基板:面對挑戰(zhàn)良品率低于60% 硅基板在絕緣層、金屬層、導通孔的制備方面都面對應戰(zhàn),良品率不超越60%。 以硅基材料作為LED封裝基板技術,近幾年逐漸從半導體業(yè)界引進到LED業(yè)界。硅基板的導熱功用與熱膨脹功用都表明晰硅是與LED較匹配的封裝資料。硅的導熱系數(shù)為140W/m·K,運用于LED封裝時,所造成的熱阻只要0.66K/W;并且硅基材料已被很多運用在半導體制程及相關封裝范疇,所觸及相關設備及材料已適當老練。因而,若將硅制造成LED封裝基板,簡單構成量產。 不過,LED硅基板封裝仍有許多技能問題。例如,材料方面,硅材簡單碎裂,且組織強度也有問題。結構方面,硅盡管是優(yōu)秀導熱體,但絕緣性不良,有必要做氧化絕緣處理。此外,其金屬層需選用濺鍍結合電鍍的辦法制備,導電孔需選用腐蝕的辦法進行。整體看來,絕緣層、金屬層、導通孔的制備都面對應戰(zhàn),良品率不高?,F(xiàn)在雖有一些臺灣企業(yè)開宣布LED硅基板并量產,但良品率不超越60%。 陶瓷封裝基板:提高散熱功率滿意高功率LED需求 合作高導熱的陶瓷基體,DPC明顯提高了散熱功率,是最合適高功率、小尺度LED開展需求的產品。 陶瓷散熱基板具有新的導熱材料和新的內部結構,彌補了鋁金屬基板所具有的缺陷,然后改善基板的整體散熱作用?,F(xiàn)在可用作散熱基板的陶瓷材猜中,BeO盡管導熱系數(shù)高,但其線膨脹系數(shù)與硅(Si)相差很大,且制造時有毒,約束了本身的運用;BN具有較好的歸納功用,但作為基板資料,沒有杰出的長處,并且價格昂貴,現(xiàn)在僅僅處于研討和推行中;碳化硅(SiC)具有高強度和高熱導率,但其電阻和絕緣耐壓值較低,金屬化后鍵合不穩(wěn)定,會引起熱導率和介電常數(shù)的改動,不宜作為絕緣性封裝基板材料。Al2O3陶瓷基片雖是現(xiàn)在產值最多、運用最廣的陶瓷基片,但因為其熱膨脹系數(shù)相對Si單晶偏高,導致Al2O3陶瓷基片并不太合適在高頻、大功率、超大規(guī)模集成電路中運用。A1N晶體具有高熱導率,被認為是新一代半導體基板和封裝的抱負材料。 AlN陶瓷資料從20世紀90年代開端得到廣泛地研討而逐漸開展起來,是現(xiàn)在遍及認為很有開展遠景的電子陶瓷封裝資料。AlN陶瓷基板的散熱功率是Al2O3基板的7倍之多,AlN基板運用于高功率LED的散熱效益明顯,進而大幅提高LED的運用壽命。AlN基板的缺陷是即便外表有十分薄的氧化層也會對熱導率發(fā)生較大影響,只要對材料和工藝進行嚴格控制才能制造出一致性較好的AlN基板?,F(xiàn)在大規(guī)模出產AlN還不老練,相較于現(xiàn)在運用遍及的Al2O3基板,AlN基板的本錢約為Al2O3基板的3~5倍。但未來若能量產,AlN基板的本錢可快速下降,到時散熱效益強壯的AlN基板將有時機替代Al2O3基板。 現(xiàn)階段運用于LED封裝的陶瓷基板按制備技能可分為HTCC、LTCC、DBC、DPC4種。HTCC又稱高溫共燒多層陶瓷,其首要資料為熔點較高但導電性較差的鎢、鉬、錳等金屬,制造本錢高昂,現(xiàn)在較少選用。LTCC又稱為低溫共燒多層陶瓷基板,其熱傳導率為2W/(m·K)~3W/(m·K)左右,與現(xiàn)有鋁基板比較并沒有太大優(yōu)勢。此外,LTCC因為選用厚膜印刷技能完結線路制造,線路外表較為粗糙,對位不精準。并且,多層陶瓷疊壓燒結工藝還有縮短份額的問題,這使得其工藝解析度遭到約束,LTCC陶瓷基板的推行運用遭到極大應戰(zhàn)。 基于板上封裝技能而開展起來的直接覆銅陶瓷板(DBC)也是一種導熱功用優(yōu)秀的陶瓷基板。DBC基板在制備進程中沒有運用黏結劑,因而導熱功用好,強度高,絕緣性強,熱膨脹系數(shù)與Si等半導體資料相匹配。但是,陶瓷基板與金屬材料的反響才能低,潤濕性差,施行金屬化較為困難,不易解決Al2O3與銅板間微氣孔發(fā)生的問題,這使得該產品的量產與良品率遭到較大的應戰(zhàn),仍然是國表里科研作業(yè)者研討的要點。 DPC陶瓷基板又稱直接鍍銅陶瓷板,DPC產品具備線路精準度高與外表平整度高的特性,十分適用于LED覆晶/共晶工藝,合作高導熱的陶瓷基體,明顯提高了散熱功率,是最合適高功率、小尺度LED開展需求的陶瓷散熱基板。 其他推薦:
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