氮化鋁(AlN)單晶的理論導(dǎo)熱率高達(dá)320W/(m·K)，然而，市面上常見(jiàn)的AlN陶瓷基板的熱導(dǎo)率卻僅徘徊在150-180W/(m·K)之間，遠(yuǎn)低于其理論極限。這一現(xiàn)狀意味著，AlN陶瓷基板的導(dǎo)熱性能仍有巨大的提升空間。

氮化鋁（AlN）作為一種先進(jìn)陶瓷材料，其理論上的熱導(dǎo)率高達(dá)320W/(m·K)，然而實(shí)際生產(chǎn)中卻難以完全達(dá)到這一數(shù)值，這背后隱藏著多重原因。

隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，電子器件正朝著多功能化、微型化、高集成度及大功率方向邁進(jìn)，這一趨勢(shì)導(dǎo)致了器件工作時(shí)產(chǎn)生大量熱量的問(wèn)題日益凸顯。為避免過(guò)熱導(dǎo)致的性能衰退甚至失效，尋找具備高熱導(dǎo)率的基板材料成為關(guān)鍵。氮化鋁（AlN），憑借其卓越的導(dǎo)熱性能，成為了新一代基片材料的理想選擇。由其制備的氮化鋁陶瓷，是近年來(lái)新材料領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)，在電子工業(yè)中的應(yīng)用潛力巨大，不限于散熱解決方案，其高溫耐蝕性、穩(wěn)...

氮化鋁因高導(dǎo)熱和絕緣性得到廣泛應(yīng)用，其市場(chǎng)需求處于高速成長(zhǎng)期。根據(jù)旭光電子公告的數(shù)據(jù)，中國(guó)氮化鋁粉體需求量將保持15%左右的增速，到2025年國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求量約5600噸

導(dǎo)熱界面材料(TIMs)通過(guò)有效地將熱量從電子器件傳遞到散熱器，在電子器件的整體散熱中起著重要作用。由于應(yīng)用場(chǎng)景不同，導(dǎo)熱界面材料的性能要求有所差異。例如在汽車領(lǐng)域，車輛內(nèi)部的電子元件運(yùn)行時(shí)，除了產(chǎn)生大量的廢熱之外，其自身還會(huì)受到各種頻率的振動(dòng)和沖擊，因此要求TIMs材料除了具備高效的導(dǎo)熱性能外，還要具備高阻尼、柔軟等特性。高阻尼、柔軟導(dǎo)熱界面材料可以抑制沖擊甚至修復(fù)振動(dòng)造成的損傷，另外賦予...

球形氮化鋁穩(wěn)定性差，易與空氣中的水發(fā)生水解反應(yīng)，生成Al(OH)3，最終導(dǎo)致TIM材料的導(dǎo)熱率大幅降低。因此想要用好球形氮化鋁，首要問(wèn)題就是提高其耐水解性。

如何克服氮化鋁的易水解性，已成為近年來(lái)導(dǎo)熱材料領(lǐng)域的一個(gè)研究熱點(diǎn)。

常用的導(dǎo)熱粉體有金屬、陶瓷和碳材料。

氮化鋁（AIN）具有比其他填充材料（例如氧化鋁和氮化硼）更好的導(dǎo)熱性，導(dǎo)熱系數(shù)是氧化鋁的6倍。但是氮化鋁（AIN）雖好，卻有一個(gè)致命缺陷——易水解。

氮化鋁作為高導(dǎo)熱填料，在高導(dǎo)熱率墊片生產(chǎn)中發(fā)揮著重要的作用，其熱膨脹系數(shù)小，電絕緣性及介電性能良好，是5G通信領(lǐng)域中不可多得的導(dǎo)熱填料。如何發(fā)揮氮化鋁的高導(dǎo)熱效果，首先要解決的是它的水解、氧化、難分散的問(wèn)題。目前主流的方法是對(duì)粉體表面進(jìn)行相應(yīng)的物理吸附或化學(xué)處理，在AlN顆粒表面包覆或形成較薄反應(yīng)層，阻止AlN粉體與水的水解反應(yīng)。主要方法有以下幾種：包覆改性法、表面化學(xué)改性法、熱處理法等。1...