陶瓷基板今年來因為部分商家的工藝水平得到提高，生產的成本降低，通過率提升。目前陶瓷基板備受歡迎，在 LED 行業(yè)，汽車領域以及高科技電子方面應用廣泛。在 LED 領域經常會用到陶瓷基板，根據應用的不同選擇氧化鋁陶瓷基板或者氮化鋁陶瓷基板。今天小編從三個方面分析一下氮化鋁陶瓷基板與氧化鋁陶瓷基板不同點。一、導熱率：同為陶瓷電路基板，但是有很大區(qū)別，氧化鋁的導熱率差不多是45W/(m·K)左右，...

5G時代的到來，帶動了不少5G基站的建設，其中也衍生了不少熱管理的工作。當大家都稱道5G基站的小型化時，“更小的體積+更大的功率”所帶來的熱量效應，到底要怎么解決呢？ 備注：AAU（有源天線單元）功耗的大幅度增加是5G功耗增加的主要原因。據統(tǒng)計，5G基站的單站功耗大約是4G單站的2.5~3.8倍，但由于5G設備的內部空間只有4G設備的30%，因此5G設備的熱量密度會是4G設備的近10倍。 這...

傳統(tǒng)的成型工藝如干壓、等靜壓成型等方法雖然適用于高性能 AlN塊體材料的制備，但成本高、效率低，難以用于規(guī)?；a。為突破AlN陶瓷傳統(tǒng)成型方法的局限性，新型成型工藝如流延、注凝、注射成型應運而生，后兩者主要適用于復雜形狀的零件。1、流延成型工藝流延成型法也稱括刀成型法，目前已成為高導熱AlN陶瓷基片的主要成型工藝，AlN漿體內各添加劑如溶劑、分散劑、黏結劑和增塑劑的加入是改善其流動性、提高...

1.將氨和鋁直接進行氮化反應，經粉碎、分級制得氮化鋁粉末。或者將氧化鋁和炭充分混合,在電爐中于1700℃還原制得氮化鋁。 2.將高純度鋁粉脫脂(用乙醚抽提或在氮氣流中加熱到150℃)后，放到鎳盤中，將盤放在石英或瓷制反應管內，在提純的氮氣流中慢慢地進行加熱。氮化反應在820℃左右時發(fā)出白光迅速地進行。此時，必須大量通氮以防止反應管內出現減壓。這個激烈的反應完畢后，在氮氣流中冷卻。由于產物內包...

常壓燒結：氮化鋁陶瓷傳統(tǒng)的制備工藝。在常壓燒結過程中，坯體不受外加壓力作用，僅在一般氣壓下經加熱由粉末顆粒的聚集體轉變?yōu)榫Я＝Y合體，常壓燒結是最簡單、最廣泛的的燒結方法。常壓燒結氮化鋁陶瓷一般溫度范圍為1600-2000℃，適當升高燒結溫度和延長保溫時間可以提高氮化鋁陶瓷的致密度。由于氮化鋁為共價鍵結構，純氮化鋁粉末難以進行固相燒結，所以經常在原料中加入燒結助劑以促進陶瓷燒結致密化。常見的燒...

有報告指現今大部分研究都在開發(fā)一種以半導體（氮化鎵或合金鋁氮化鎵）為基礎且運行於紫外線的發(fā)光二極管，而光的波長為250納米。在2006年5月有報告指一個無效率的二極管可發(fā)出波長為210納米的光波。以真空紫外線反射率量出單一的氮化鋁晶體上有6.2eV的能隙。理論上，能隙允許一些波長為大約200納米的波通過。但在商業(yè)上實行時，需克服不少困難。氮化鋁應用於光電工程，包括在光學儲存介面及電子基質作誘...

中文名稱：氮化鋁。英文名稱：aluminum nitride 定義：由ⅢA族元素Al和ⅤA族元素N化合而成的半導體材料。分子式為AlN。室溫下禁帶寬度為6.42eV，屬直接躍遷型能帶結構。應用學科：材料科學技術（一級學科）；半導體材料（二級學科）；化合物半導體材料（二級學科） 以上內容由全國科學技術名詞審定委員會審定公布目錄說明:AlN是原子晶體，屬類金剛石氮化物，最高可穩(wěn)定到2200℃。室...